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电子元器件详细资料 » IC[19093] » FQB34N20LTM
型号:FQB34N20LTM类别:FET - 单制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
系列QFET™
制造商Fairchild Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)200V
电流_连续漏极(Id)0a025000C31A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C75 毫欧 @ 15.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs72nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds3900pF @ 25V
功率_最大3.13W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D²PAK
包装Digi-Reel®

供应商

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深圳宇邦高科技有限公司朱小姐0755-82524712 0755-82525400
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FQB34N20LTM相关型号

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